随着科学技术的进步，人与人之间的联系与沟通，已由有线传送进步到无线传输，使得无线通讯系统蓬勃发展。无线通讯系统以工作的频率可以分成三个主要系统方块，分别是射频，中频，以及基频。而射频的部分为了满足阻抗匹配以及设计上的需要，所以需要将面积大而又损耗高的电感导入使用，也因此使得RFCI电路的设计考虑比基频和中频更加地复杂，并且需要建立更精确的模拟模型，使得制作出来的芯片精确度提升。　　 随着无线通信技术和CMOS工艺的不断发展，我们希望体积可以越做越小，越来越省电，使得待机时间增长，重量越来越轻使得可移动性增高，并且适用于大量制造生产，加速产品的普及和生产成本的降低，所以CMOSRF的IC制作成为目前相当热门的研究发展主题。　　 本文将采用CMOS工艺对无线射频接收模块低噪声放大器进行设计。由于CMOS无源器件极大地影响着射频集成电路的性能，本文首先讨论了在TSMC0.18μmCMOS工艺下的无源器件。本文还分析了器件的噪声和S参数等基本理论，接着介绍了共源共栅低噪声放大器(cascode Lower Noise Amplifier)的基本原理和模型。并推导出了在功耗约束下的噪声优化技术和MOSFET宽度的计算公式。而通过限定功耗的噪声优化方法使我们的LNA有较小的功耗的同时噪声也较小。　　 最后，从上述原理出发，在电感负反馈cascode LNA的基础上引入一对交叉耦合的电容，消除了寄生电容的影响。采用差分电路结构，通过功耗约束的噪声优化方法设计了一个2GHz下的CMOS低噪声放大器。其增益和噪声性能、线性度和以往的设计方案对比都有了明显的提高。　　 本论文所设计的2GHz的差分结构低功耗CMOS低噪声放大器采用了EAD工具ADS2009进行仿真。该软件也是目前最热门的微波电路设计和仿真软件。在著名的微波仿真论坛和微波技术网都是讨论最多的EDA软件。　　 在ADS2009下对电路进行仿真和优化后，本论文所设计的低噪声放大器在1.8V供电下主要指标为：23.23dB的增益、0.778dB的噪声指数及11.5mw的功率消耗。这个结果表明，提出的理论分析是可以较为精确的预测低噪声放大器的噪声性能的。