该文利用MEMS加工技术制作了微通道,为微流体的实验研究奠定了坚实的基础.通过对微流体特征问题的分析,设计了微流体压力检测实验台.在微通道的结构设计中,通过引入支流通道来连接压力传感器,克服了直接在微通道内集成微压力传感器的困难.提出四种微通道加工工艺方案,分析各工艺方案的优缺点,确定一种简便易行的工艺方案.详细讨论了微通道的加工工艺过程.对PECVD薄膜工艺中操作参数的优化、光刻工艺中各工序参数的确定、刻蚀溶液温度及成分配比对刻蚀速率的影响都作了定性的分析和定量的探讨,确定一批适合微通道加工的工艺参数.该文在这方面的工作对类似的微器件制作具有指导意义.在探讨等离子体刻蚀机理的基础上,深入研究了感应耦合等离子体(ICP)刻蚀硅过程中操作工艺参数对刻蚀速率的影响.实验结果表明,SF<,6>气体流量、自偏压和线圈功率均对刻蚀速率有很大的影响.在优化的工艺参数条件下,硅的刻蚀速率为0.80μm/min,其对SiO<,2>、Si<,3>N<,4>的选择比为15.