Si掺杂ZnO薄膜的制备及光学性质的研究

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【摘要】

：

ZnO是宽禁带Ⅱ-Ⅶ族半导体材料,带隙宽度约为3.37 eV,具有纤锌矿结构,属六方晶系,化学稳定性较好、材料来源丰富、价格低廉。ZnO的诸多优势决定了这种多功能半导体材料在很多领域有着极为广泛的应用前景。为了满足器件的各种要求,特别是在光电方面的要求,人们试图在ZnO中掺杂各种元素以实现对其光电性能的调制。关于ZnO带隙调节方面,已有许多文献进行了报道。但目前对于通过掺杂实现增大ZnO带隙的报道

【作者】

：

尹冬梅

【机构】

：

东北师范大学

【发表日期】

：

2009年01期

【关键词】

：

ZnO薄膜磁控溅射掺杂 Si 退火

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