第三代半导体GaN与AlN合成的Al_xGa_1-xN三元合金晶体材料随着Al组分的变化其禁带宽度不但变化范围大（3.4eV～6.2Ev）且连续可调,对应吸收光的波段在200～365nm之间连续变化,其中探测波段在240～280nm区间的日光盲探测器可以广泛应用于生化分析、臭氧监测、紫外通讯、太阳照度监测、火灾监测等领域,在国内外引起了广泛的关注。本论文首先介绍了MOCVD设备外延生长Al_xGa_1-xN材料的原理、相关的物理化学过程及存在的问题;然后开展了衬底的选择、AlN基板缓冲层和超晶格缓冲层、高Al组分Al_xGa_1-xN的MOCVD外延生长及其n型掺杂等方面的实验研究;最后,设计和制作了320×256元Al_xGa_1-xN日盲p-i-n型焦平面阵列（FPA）探测器,并对其电学性质、光谱响应、成像演示等性能进行了测试。论文获得的主要研究结果如下:（1）通过工艺优化,在蓝宝石衬底上成功制备了AlN基板和Al_xGa_1-xN/AlN超晶格缓冲层。获得的AlN基板（0002）和（10-12）晶面的摇摆曲线FWHM值分别为37秒和712秒,且AFM测试结果显示表面光滑程度为原子级。（2）制备出了Al组分高于0.6的Al_xGa_1-xN外延材料,其（0002）晶面摇摆曲线FWHM值为213秒;其n型载流子浓度大于6.9×10¹⁸cm^-3、室温载流子迁移率大于50.0cm²/v·s,性能基本满足器件制作要求,并进行了背照式PIN结构紫外探测器材料外延生长。（3）探测器样品光谱响应范围为253～280nm,为日盲区探测;在2伏反向偏压工作状态下,探测器样品在265nm波段附近达到峰值响应,响应度为0.15A/W,量子效率为63%;在3伏反向偏压工作状态下,单元器件的暗电流密度为6.5nA/cm²;阵列的峰值探测率D_λ*为3.63×10¹³cm·Hz^1/2/W。