白光LED因具有发光效率高、体积小、能耗低、原料绿色环保等优点,被誉为继荧光灯和白炽灯后的新一代照明光源。其中,荧光粉的优劣将会直接影响到白光LED的工作性能。文中以Ba O-B₂O₃(Ba₂B₂O₅和Ba₂B₁₀O₁₇)为基质,采用高温固相法制备稀土离子Eu³⁺、Tb³⁺掺杂的荧光粉,主要研究结果如下:（1）红色荧光粉Ba₂B₂O₅:Eu³⁺最适宜的制备条件为:焙烧温度900℃,Eu³⁺离子的最适宜掺杂量为8%（mol）。荧光光谱测试表明:在波长为394nm的近紫外光激发下,其主要发射峰位于596nm和618nm处,分别为Eu³⁺的⁵D₀→⁷F₁的磁偶极跃迁和⁵D₀→⁷F₂的电偶极跃迁。（2）Ba₂B₂O₅:Tb³⁺荧光粉最适宜的制备条件为:焙烧温度850℃,Tb³⁺离子的最适宜掺杂量为8%（mol）。在波长为236nm的紫外光激发下,最强发射峰位于547nm处,来自于Tb³⁺的⁵D₄→⁷F₅的跃迁发射,呈现较好的绿色发射。（3）Ba₂B₂O₅:5%Eu³⁺,x Tb³⁺荧光粉最适宜的制备条件为:焙烧温度850℃,Tb³⁺离子的最适宜掺杂量为8%（mol）。在激发波长为236nm的激发下,分别在547nm,596nm,617nm处有强发射峰,分别是Tb³⁺和Eu³⁺的特征发射峰。通过改变Tb³⁺在Ba₂B₂O₅体系中掺杂浓度,可使Ba₂B₂O₅:Eu³⁺,Tb³⁺荧光粉的发光颜色发生从绿色到黄绿色再到蓝绿色的转变。（4）Ba₂B₁₀O₁₇:Eu³⁺荧光粉最适宜的制备条件为:焙烧温度850℃,Eu³⁺离子的最适宜掺杂量为8%（mol）。在波长为394nm的近紫外光激发下,其主要发射峰位于596nm和618nm处,分别为Eu³⁺的⁵D₀→⁷F₁的磁偶极跃迁和⁵D₀→⁷F₂的电偶极跃迁。（5）Ba₂B₁₀O₁₇:Tb³⁺荧光粉最适宜的制备条件为:焙烧温度850℃,Tb³⁺离子的最适宜掺杂量为5%（mol）。在激发波长为222nm的紫外光激发下,最强发射峰位于547nm处,来自于Tb³⁺的⁵D₄→⁷F₅的跃迁发射,样品呈现较好的绿色发射。（6）Ba₂B₁₀O₁₇:5%Eu³⁺,x Tb³⁺荧光粉最适宜的制备条件为:焙烧温度850℃,Tb³⁺离子的最适宜掺杂量为8（mol）%。在激发波长为208nm的紫外光激发下,分别在547nm,596nm,617nm处有强发射峰,分别是Tb³⁺和Eu³⁺的特征发射峰。通过改变Tb³⁺在Ba₂B₁₀O₁₇体系中掺杂浓度,可使Ba₂B₁₀O₁₇:Eu³⁺,Tb³⁺荧光粉的发光颜色发生从绿色到浅黄色的转变。文中制备的稀土Eu³⁺和Tb³⁺单掺及双掺Ba O-B₂O₃基荧光粉的研究内容和实验数据可以为LED用荧光粉进一步的研究提供参考。