本文主要研究了影响振荡器相位噪声的主要因素，并且提出改善振荡器相位噪声性能的方法。主要研究内容包括： 一、根据振荡器相位噪声模型，得出了影响振荡器相噪性能的两个主要因素：构成振荡器的有源器件的相位噪声性能和振荡器谐振器的品质因数。然后比较了GalnP／GaAs HBT与其它器件的相噪特性。 二、完成了GalnP／GaAs HBT工艺流片，研究了流片过程中的几个关键工艺，给出了器件直流和交流测试结果。 三、提出了一种简单有效的HBT小信号等效电路参数提取方法，避免了复杂的数学优化过程和设计专门的测试结构。同样建立在HBT小信号等效电路参数提取的方法基础上，利用Z参数分析晶体管噪声网络方法，得出了最小噪声系数和器件几何、物理参数的关系以及改善器件噪声性能的方法。 四、探讨了双推振荡器的设计思想。发现这种电路拓扑结构能够有效的提高振荡器谐振器的品质因数和输出功率、降低相位噪声。最后设计了振荡频率为17.5GHz的固定频率振荡器，给出了35GHz双推振荡器原理框图。