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碲锌镉(CdZnTe)核辐射探测器具有能量分辨率高、本征探测效率高、可在常温下使用、体积小等优点,因此可广泛应用于核安全、环境监测、天体物理和医学成像等领域。目前,CdZnTe(CZT)探测器成为世界各国研究的热点之一。本文研究了光电导型和面垒型CdZnTe 核辐射探测器的制备工艺及其性能表征。研究发现:对CdZnTe 晶片采用不同的处理方法,将会影响其电学性能。机械粗抛的晶片电阻率很低,溴甲醇腐蚀或H2O2钝化处理对粗抛的晶片能显著的提高其电阻率,但对精抛的晶片处理后其电阻率变小;对经过溴甲醇腐蚀后的晶片再进行H2O2钝化会降低腐蚀后晶片的电阻率;XPS 测试发现溴甲醇腐蚀后的晶片表面会形成富Te 层。对所制得的光电导型CdZnTe 探测器件进行I-V 特性测试,发现功函数小于P 型高阻CdZnTe 的金属Au、In 能与经过溴甲醇腐蚀过的CdZnTe 半导体形成欧姆接触,且金属沉积在半导体上后进行退火处理有利于欧姆接触的形成。I-T 特性测试发现,在探测器所用的CdZnTe 半导体材料内部离价带顶0.539eV 处有一深受主能级,即电子俘获能级。上述结果对CdZnTe 探测器的制备有较重要的新借鉴作用。对所制得的光电导型CdZnTe 探测器进行能谱测试,得到241Am59.5KeV 能峰的谱图,但分辨率还不够理想,估计是由于所用探测器材料内存在俘获能级,严重影响探测器对光生载流子的有效收集而造成。由于CdZnTe 生长温度高、热导率低、离子性强、堆垛层错能低等不利于晶体生长的因素,造成生长的单晶体内不可避免的存在缺陷,形成俘获能级,