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第三代半导体材料碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、击穿场强高、热稳定性好等优异的半导体和物理特性,在高频大功率微电子以及耐高温光电子器件方面具备广阔的应用前景。随着科学技术的不断进步,SiC材料制备日渐成熟,使用SiC材料进行MEMS器件制造也受到广泛关注,另一方面,NEMS器件也开始关注SiC纳米材料。本文以n-型4H-SiC为基本材料,采用反应离子刻蚀(RIE)方法刻蚀4H-SiC,研究了刻蚀表面残留物形成机理及消除方法;采用电化学刻蚀制备了4H-SiC纳米线,研究了4H-SiC纳米线压阻效应的起源。采用传统的光刻、溅射、电镀等方法进行图形转移。使用SF6/O2混合气体分别对4H-SiC的(000 1)C面和(0001)Si面进行RIE刻蚀,扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察发现在C面形成显露面为{1102}面的锥状残留物,而Si面为光滑表面。系统研究了刻蚀参数(如工作压强、SF6:O2流量比、刻蚀时间等)对形成锥状物的影响,发现工作压强和SF6:O2流量比是残留物形成的主要因素。从SiC晶体结构出发,提出了锥状物形成的机理模型。{1102}面和(0001)面为Si显露面,(000 1)面为C显露面,Si显露面的刻蚀速率小于C显露面的刻蚀速率,速率差异导致在C面刻蚀时形成锥状残留物。通过提高SF6:O2流量比和工作压强,增强了Si显露面的刻蚀速率,完全消除了锥状残留物。采用电化学刻蚀的方法,分别在4H-SiC的C面和Si面制备出了4H-SiC纳米线。相比于Si面制备的纳米线,C面制备的纳米线粗细均匀,侧壁光滑且易于调控。使用导电原子力显微镜对C面制备的单根纳米线进行了压阻性能测试,半径为33.96 nm和66.11 nm的纳米线压阻系数分别在32.98~19.09×10-11Pa-1和40.35~23.13×10-11 Pa-1范围内,均高于体材料的压阻系数。研究了SiC禁带宽度Eg和迁移率μ与?ρ/ρ0的关系,Eg和μ对?ρ/ρ0的作用是相互叠加的,压阻效应主要是由应力导致的禁带宽度增大和迁移率减小造成的。