pH测量与现代工业、农业、医学、生物工程、环境及科学研究等领域息息相关。离子敏感场效应晶体管(ISFET)是一种新型pH敏感器件。ISFET把半导体表面场效应原理和离子敏感膜的电化学特性相结合，具有体积小、阻抗低、响应时间快、操作方便、灵敏度高等优点。采用性能优越的敏感膜，是获得高稳定性ISFET的前提。Ta<,2>O<,5>不仅有高的灵敏度，而且有高的化学稳定性，是目前最适于用作ISFET敏感膜的材料。 为实现传感器和集成电路的单芯片集成，必须在低温下(不高于300℃)进行后续工艺，完成敏感薄膜制备。本文采用磁控溅射方法来制备Ta<,2>O<,5>敏感薄膜。制备条件影响了薄膜的形貌、结构及电学性质，而这些性质又决定了薄膜pH敏感性能的好坏。本文探索Ta<,2>O<,5>敏感薄膜在低温条件下淀积的工艺条件，系统研究制备条件对薄膜的沉积速率、表面形貌、薄膜成分和电学性能的影响规律。 对各种条件下制备的Ta<,2>O<,5>薄膜进行了pH敏感性能的测试，研究了制备条件对薄膜pH敏感性能的影响。研究得到pH敏感Ta<,2>O<,5>薄膜的最佳制备条件是衬底温度300℃，气压0.5Pa，氧气含量20％，制备出的薄膜具有良好的线性相关度(线性拟合率0.99989)、较高的灵敏度(54.50mV/pH)、较快的响应时间(0.15s)、良好的稳定性(0.03mV/h)和重复性。