本文以高温吸波材料的基体作为基本研究方向，对莫来石、MAS和氮化硅陶瓷作为高温吸波材料基体进行了研究，目的是为今后制备高温吸波材料，选择高温吸波材料基体提供依据。 以Al粉、TEOS为原料，采用溶胶-凝胶法制备了烧结性很好的莫来石先驱体粉末，所得富硅（Al₂O₃∶SiO₂=68∶32）莫来石先驱体粉末在1550℃、15MPa下热压烧结1小时后，致密度高达98.4％。XRD表明，该粉末未经热处理前为非晶态，在975℃开始莫来石化。以硫酸铝、硅溶胶为原料，采用溶胶-凝胶法制备了莫来石先驱体粉末，所得富硅莫来石先驱体粉末在1550℃、15MPa下热压烧结1小时后，致密度达97％。热分析和XRD表明，该粉末经1300℃的热处理，就完全转变为莫来石。莫来石单相陶瓷的介电常数与莫来石先驱体粉末的成份有关，富硅（Al₂O₃∶SiO₂=68∶32）、富铝（Al₂O₃∶SiO₂=73∶27）和理论比（Al₂O₃∶SiO₂=71.8∶28.2）莫来石陶瓷的介电常数分别为：5.5、6.0和6.3。 莫来石-Si／C／N复合材料的介电常数与热压烧结工艺有很大的关系，随热压烧结温度（1450～1600℃之间）的升高，烧结时间（烧结温度为1550℃）的增长，莫来石-Si／C／N复合材料的介电常数实部、虚部及介电损耗角正切均明显下降，这与吸收剂的性质随温度和时间的变化有关。吸收剂的含量对莫来石-Si／C／N复合材料的影响很大，随吸收剂含量的增多，莫来石-Si／C／N复合材料的介电常数实部、虚部及介电损耗角正切均呈上升趋势。Maxwell Garnet公式计算的莫来石-Si／C／N复合材料的介电常数与实际测量值有很大差异，这是由吸收剂与莫来石基体间的界面反应等因素引起的。莫来石-Si／C／N复合材料有明显的频散效应和较大的介电损耗角正切，可以作为高温吸波材料的吸收层。 以硫酸铝、硝酸镁和硅溶胶为原料，采用溶胶-凝胶法，制得MAS先驱体粉末，XRD表明，该粉末经1300℃的热处理后，完全转变为堇青石。MAS先驱体粉末在100MPa的轴向压力下成型后，经1450℃无压烧结2小时，得到单相堇青石陶瓷，其致密度达95.1％。 随着烧结温度（1200～1300℃之间）的升高，热压反应烧结MAS-Si／C／N复合材料的介电常数实部明显上升，而虚部随温度的变化较为复杂，这与MAS-Si／C／N复合材料的相组成随温度的升高发生变化有关。随着烧结时间（烧结温度为1200℃）的增长，MAS-Si／C／N复合材料的介电常数实部和虚部增大，随着吸收剂含量的增多，MAS-Si／C／N复合材料的介电常数实部、虚部和介电损耗角正切均增大。MAS-Si／C／N复合材料的的频散效应十分明显，介电损耗角正切较大，可以作为高温吸波材料吸收层。 以MgO和Y₂O₃为添加剂，采用热压烧结的方法，制备了Si₃N₄-Si／C／N复合材料，其抗弯强度在250MPa左右，随着Si／C／N纳米粉重量百分比的增加，Si₃N₄-Si／C／N复合材料的介电常数虚部与介电损耗角正切均增大。而复合材料的介电常数实部在Si／C／N纳米粉重量百分比小于10％时，随Si／C／N纳米粉重量百分比增大而增大，继续增大Si／C／N纳米粉的含量至15％，介电常数实部反而下降。