石墨烯是一种具有很多优良特性新一代的电子器件材料。为了探索石墨烯生长的新工艺，本文对SiC高温热解法制备石墨烯工艺进行了研究，论文完成的主要工作如下：首先介绍了石墨烯的晶体结构、能带结构、材料特性以及应用领域，简述了论文所用主要表征手段拉曼散射的基本原理及其在表征石墨烯中的应用，并针对石墨烯拉曼谱中的几个特征谱峰如G峰、D峰和2D峰的位置和来源进行了说明。其次，对常见石墨烯的制备方法如微机械剥离法、CVD法和碳化硅热解法进行了对比说明，并简要介绍了用相应方法所得石墨烯拉曼光谱的异同。最后，利用SiC高温热解方法，通过改变工艺参数和条件，经过反复实验并结合样品的拉曼表征结果对工艺进行优化，获得了氢刻蚀优化工艺条件和SiC高温热解制备石墨烯的基本工艺条件，制备出了较高品质的石墨烯样品。