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氧化镓(Ga_2O_3)是一种新型超宽禁带半导体材料,相比于第三代半导体氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)材料,具有能带更宽、临界击穿电场更......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
本文具体分析了体硅SCR(晶闸管)和SOI SCR的抗静电特性,利用软件Sentaurus对埋氧层3μm,顶层硅1.5μm的SOI衬底上的SCR进行了工艺......
Sentaurus TCAD是电子产业的重要工具,它可以用来模拟集成器件的工艺制程,器件物理特性和互连线特性等。文章对Sentaurus TCAD仿真......
结温是制约器件性能和可靠性的关键因素,通常利用热阻计算器件的工作结温.然而,器件的热阻并不是固定值,它随器件的施加功率、温度......
从能带结构方面分析了InSb nBn结构的势垒层,并使用Sentaurus TCAD软件计算并模拟了改进前后的器件Ⅳ性能,仿真结果表明,在势垒层......
利用半导体TCAD工具Sentaurus对硅片的乳胶源掺硼扩散工艺进行模拟，用淀积后的退火处理过程替代注入后退火的模拟方案，以多种实测条......
随着CMOS器件尺寸进入纳米级，传统器件所用的材料已经接近它们的物理极限和工艺极限，所以探索新型器件材料、研究新型器件结构已经成......
分析了MOS晶体管总剂量辐射效应的理论模型,并在此基础上给出了主要作用机理的仿真方法,用Sentaurus TCAD器件仿真软件对不同栅氧......
空间站、人造卫星等航天设备在空间环境中,会长期受到可靠性效应和总剂量辐射效应的影响。本文针对宇航环境中存在的可靠性效应和......
SOI器件辐射效应一直以来都是SOI器件辐射加固技术的重要研究内容，尤其是总剂量辐射效应方面的研究。由于SOI器件具有多个易受辐射......
随着半导体集成电路制造业在中国的迅猛发展,为了降低研发成本和提高集成电路的成品率,各大公司越来越需要有专业的模拟工具对半导......
随着集成电路(IC)技术的迅速发展,晶体管的特征尺寸已进入深亚微米、甚至超深亚微米(纳米)级。继续沿用等比例缩小的方法提高当前......
随着纳米加工技术的迅速发展,晶体管的特征尺寸已进入纳米级。通过等比例缩小的方法提高当前主流硅CMOS器件的性能受到越来越多物......
通过Sentaurus TCAD对一种SOI LDMOS进行辐射损伤模拟仿真。使用了Sentaurus TCAD仿真辐射效应适用的模型,分析了SOI LDMOS的总剂......
在原有的超结Trench VDMOS技术的基础上引入部分埋氧层,设计了一种新型的部分埋氧的抗辐照超结沟槽功率器件。在Sentaurus TCAD软......
