本论文以钒酸银（Ag₃VO₄）作为主要研究对象,通过不同手段来提升半导体光催化剂Ag₃VO₄的光催化性质及光催化反应能力,通过实验及理论计算的方式研究其可能的反应机理。我们的主要工作如下:（1）在超声辅助的方法下,通过调控Ag和V的摩尔比成功合成了纯相Ag₃VO₄以及一系列复合相Ag₂O/Ag₃VO₄。以甲基橙（MO）作为有机污染物的模板,评估了Ag₂O/Ag₃VO₄在可见光下的光催化降解活性。结果发现与纯相Ag₃VO₄相比,复合后的Ag₂O/Ag₃VO₄对MO的降解效果显著提高,尤其是Ag:V为6:1的3Ag₂O/2Ag₃VO₄,在可见光下,60 min内对MO的降解率可达到85%以上,与已报道的文献相比,效果最佳。本文还推测了3Ag₂O/2Ag₃VO₄光催化降解机理,光催化性能的提高归因于Ag₂O与Ag₃VO₄形成了复合物,可提高光生电荷的分离效率并有效抑制光生空穴-电子对复合率。（2）利用超声辅助的方法,成功合成了不同质量比的复合物g-C₃N₄/Ag₃VO₄,与纯相g-C₃N₄、Ag₃VO₄相比,其对于药物四环素（TC）在可见光下的降解有很大的提高。尤其是5%g-C₃N₄/Ag₃VO₄的光降解性能最好,40 min内对四环素的降解率接近于80%。根据捕获试验的结果,光催化性能的提高归因于g-C₃N₄和Ag₃VO₄之间形成了复合相,提高了光生电荷的分离效率,同时抑制了光生空穴-电子对复合率。（3）基于密度泛函理论（DFT）,我们计算和讨论了不同浓度Nb、Ta掺杂对Ag₃VO₄电子结构的影响。对于Nb⁵⁺离子的掺杂,随着掺杂浓度的增大,体系能量降低,趋于稳定,掺杂容易形成,而且掺杂后导带位置上移,禁带宽度增大,但对可见光仍有良好响应。对于Ta⁵⁺离子的掺杂,随着掺杂浓度的增大,体系能量升高,相比Nb⁵⁺离子掺杂不容易进行。其中12.5%的Ta⁵⁺离子掺杂,导带位置上移,禁带宽度增大,但对可见光仍有良好响应,而对于25%和37.5%的Ta⁵⁺离子掺杂,导带位置降低,带隙减小,光响应范围增大。