自从石墨烯发现以来,各种衍生的二维（2D）材料进入人们的视线。包括六方氮化硼（h-BN）、黑磷、二硫化钼（MoS₂）、二硫化钨（WS₂）等。这些二维材料在太阳能电池、发光二极管、光电探测、储能器件等领域有着广泛的研究与应用。二硫化钼、二硫化钨由于其原子级的厚度、宽带隙、稳定性高等优点被认为有望成为下一代电子材料。化学气相沉积（CVD）法是制备大面积均匀二硫化钼、二硫化钨的有效方法。本论文从铜箔上的石墨烯以及蓝宝石衬底上的二硫化钼、二硫化钨的CVD制备,到氮化镓衬底上二硫化钼的CVD制备,和二硫化钼的高效无褶皱转移以及器件制备等部分进行研究。主要内容包括:1.采用低压化学气相沉积法（LPCVD）在铜箔上生长石墨烯,在蓝宝石衬底上生长MoS₂与WS₂。2.采用低压化学气相沉积法在氮化镓衬底上生长出连续的二硫化钼薄膜。发现二硫化钼薄膜的厚度随着衬底到氧化钼距离的增加而降低。并通过优化氮化镓衬底的倾斜度,提高二硫化钼的均匀性;通过调整衬底的高度,控制二硫化钼的层数。3.采用CVD制备的二硫化钼制备大面积器件中关键的一步是将二硫化钼转移到新的衬底上。液体辅助转移是最常用的转移方法。但在转移过程中经常出现褶皱、裂纹等现象,这严重阻碍着大面积器件的制备。通过调控转移过程中的铺展系数S,有效地减小了转移过程中对二硫化钼薄膜的损伤,得到大面积无褶皱的二硫化钼薄膜。4.采用光刻、电子束蒸发等工艺,在CVD生长的1×1 cm面积的单层MoS₂上制备出约500个背栅场效应晶体管。这些晶体管表现出较高的迁移率(最高118 cm²V^-1s^-1)和较大的开关比（10⁸）。