氧化锌（ZnO）是一种Ⅱ-Ⅵ族直接宽禁带金属氧化物半导体材料(其禁带宽度为3.37eV)，在室温下具有较大的激子束缚能(60meV)，ZnO还是现今发现的纳米结构最为丰富的材料之一。其中一维ZnO纳米材料以其新颖的物化特性以及在纳米器件中潜在的用途成为当今纳米技术的研究热点。氧化锌又是一种具有多重性能的功能性材料。在所有的材料中，氧化锌的结构和性质是最为丰富的，其丰富的结构和性质使得氧化锌（纳米氧化锌）在力学、热学、光学、电学、光电电子学、压电电子学、传导、传感、以及生物和医学等不同领域有许多潜在的应用。本论文主要工作如下：第一部分：通过化学气相沉积法，利用超细氧化锌粉体和碳粉作为原材料，在未经处理的纯净Si（001）基底上实现六方晶系的氧化锌单晶纳米线的气相生长，其具有沿[0001]晶向择优生长的特征并且准垂直于基底。第二部分：通过改变反应的条件，诸如反应温度，反应压强，升温速率，降温速率等，不仅得到了大量不同的纳米结构，而且还原创性地合成锥形氧化锌纳米线，并以此分析了生长条件对ZnO纳米结构形成的影响。通过控制反应压强并大量重复实验，得到了形貌可控制的锥形氧化锌纳米线，并进一步研究了其内在机理。第三部分：通过一系列化学工艺，将合成的氧化锌纳米材料从Si基底上分离下来，并离散成单根氧化锌纳米线，并将离散好的单根纳米线用银胶固定在柔性基底上，再用封口胶密封，即制成单根氧化锌纳米器件，并用大型表征仪器，如光学显微镜，扫描电子显微镜表征。第四部分：测试纳米器件的压电特性，首先通过测量基本的肖特基势垒曲线，来区别器件的好坏，然后对于锥形的纳米线，由于其结构的不对称性，使得两端的肖特基势垒高度不一，这与规则结构的纳米线有很大的区别，分别研究不同粗细的纳米线来证实这个现象。其次运用精密控制平台，测量在不同弯曲应变下，由于应变程度不同而产生的内在压电势对器件两端肖特基势垒高度变化的影响。最后研究输出的压电信号（电压电流信号）由于两端势垒高度不一所产生的影响。