横向磁通电机控制器驱动电路设计及逆变器死区补偿

来源 :合肥工业大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wy19841010
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当前能源和环境问题愈发严重,随着汽车电气化的发展,电动汽车引起了越来越多的研发关注,世界各国政府及各汽车厂商均重视对电动汽车的研发投入与资金支持,电动汽车已成为汽车领域的主流发展方向之一。横向磁通永磁电机(TFPM)具有转矩密度高、设计自由度大、电路与磁路相互解耦等众多优点,为此,论文重点开展横向磁通永磁电机系统功率驱动电路设计及逆变器死区补偿研究,旨在为横向磁通永磁电机系统在电动汽车中的推广应用奠定研究基础,其研究兼具理论研究价值和工程应用价值。论文采用MOSFET作为功率器件,首先设计横向磁通永磁电机的功率驱动电路,该电路采用光耦HCPL4504和专用驱动芯片UCC27321,具有外围电路简单可靠的特点。为了抑制MOSFET两端出现的电压尖峰,设计RCD缓冲电路。再在详细阐述横向磁通电机驱动方案整体结构、驱动电路设计以及关键参数计算流程的基础上,开展900W横向磁通永磁电机驱动电路及缓冲电路的实验测试工作,旨在通过试验测试验证所设计的驱动电路及缓冲电路的实用性和有效性。横向磁通永磁电机系统中的电压源型逆变器,由于其功率开关管寄生电容的存在,使逆变器开关周期内输出电压上升和下降不再是瞬时实现,而传统的死区补偿方法并未考虑寄生电容的影响,不仅导致死区补偿效果欠佳,而且存在电流过零点判断困难及易产生过补偿的技术不足。为此,论文首先分析计及开关管寄生电容的逆变器死区效应,然后,针对横向磁通永磁电机驱动系统,详细推导其逆变器输出纹波电流的计算公式,提出基于纹波电流计算的逆变器死区补偿方法,并通过基于不同死区补偿方法的横向磁通永磁电机驱动系统建模、仿真研究和实验研究证实所提出的新型死区补偿方法的技术优势。
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