【摘 要】
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在后摩尔定律时代,研究者们不断探索新的路径来延续计算性能的增长趋势,其中采用新型材料制备新型器件是一条相对长远、创新颠覆性强的道路。在各类新型材料中,拓扑材料因其表面态具有自旋动量锁定、禁止背散射以及受对称性保护的拓扑性质等而成为研究热点,同时这些性质使得拓扑材料在制备低功耗器件、自旋电子器件等方面具备极大的潜力。Mg3Bi2作为新型的拓扑半金属,有望成为研究Ⅱ型节线型半金属的理想平台之一,其所具
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在后摩尔定律时代,研究者们不断探索新的路径来延续计算性能的增长趋势,其中采用新型材料制备新型器件是一条相对长远、创新颠覆性强的道路。在各类新型材料中,拓扑材料因其表面态具有自旋动量锁定、禁止背散射以及受对称性保护的拓扑性质等而成为研究热点,同时这些性质使得拓扑材料在制备低功耗器件、自旋电子器件等方面具备极大的潜力。Mg3Bi2作为新型的拓扑半金属,有望成为研究Ⅱ型节线型半金属的理想平台之一,其所具有的独特的拓扑物性也有望拓宽新型拓扑器件的研究视野。但是由于Mg3Bi2是新提出来的一种拓扑半金属,当前
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