多孔硅是一种具有出色性质的材料,其不仅具有大的比表面积,更重要的是其还可以制备成不同结构的光子器件。多孔硅光子器件和其他物质结合的研究已经广泛而深入地开展起来了。利用多孔硅光子器件和其他物质的结合,不仅可以改善物质的性能,更重要的是还可以制备出性能更加优异的传感器。本论文主要利用多孔硅和量子点的特殊性质,通过量子点和多孔硅的结合,致力于研究多孔硅和量子点结合后量子点荧光的性质。本论文的主要工作及结论如下:探究了由两种类型的小电阻率硅片制备的高反射带位于600 nm附近的多孔硅布拉格反射镜的制备条件。并研究了影响多孔硅热氧化和双氧水氧化的一些基本因素。通过浸泡的方法将油溶性CdSe/ZnS量子点与硅片及孔径大小不同而厚度相同的两种单层多孔硅结合,并对比它们三者的荧光强度,实验结果不仅证实了多孔硅具有大的比表面积这一事实,同时也发现孔径相对较大的单层多孔硅可以与更多的量子点结合,进而说明孔径的大小对量子点与多孔硅的结合确实有很重要的影响。为了研究多孔硅布拉格反射镜的结构对量子点荧光强度的影响,我们设计并制备了一种特殊的多孔硅光子器件,使量子点只能进入器件的第一部分。实验结果显示,当量子点荧光峰落入多孔硅器件的高反射带中时,进入多孔硅器件第一部分中的量子点的荧光强度会有明显的增强,相反,当多孔硅器件的高反射带远离量子点的荧光峰时,就不会有明显的荧光增强效应出现。此外,我们还研究了多孔硅器件布拉格反射镜的周期数对量子点荧光强度的影响,实验结果显示,随着周期数的增大,多孔硅器件高反射带的反射率也随之增加,量子点荧光强度的增强效应也更加明显。