极紫外光源相关论文
极紫外光刻技术是我国当前面临35项“卡脖子”关键核心技术之首．高极紫外光转换效率和低离带热辐射的激光等离子体极紫外光源是极紫......
随着芯片特征尺寸的不断减小，借助193 nm准分子光源的浸没式深紫外光刻技术已进入瓶颈，使用多次曝光技术的工艺路线也已到达目前的商......
高端芯片制造所需要的极紫外光刻技术位于我国当前面临35项“卡脖子”关键核心技术之首.高转换效率的极紫外光源是极紫外光刻系统......
极紫外光刻技术被认为是下一代最有潜力的光刻技术,对推动集成电路发展具有重要作用.极紫外光源是极紫外光刻技术的源头,其技术水......
为了满足激光诱导等离子体(LPP)体制下极紫外(EUV)光源对CO2激光器提出的稳定性需求, 建立了简化的CO2激光传输系统模型, 根据光束......
随着半导体产业的发展，芯片集成度得到了大幅度提升，对于制备芯片至关重要的光刻技术也需要进一步提高。未来最有发展前景的光刻技术......
极紫外光刻技术(EUVL)利用波长为13.5 nm的极紫外(EUV)光源,可以轻松突破30 nm技术节点而实现大规模工业生产。毛细管放电直接将电......
极紫外光刻技术是制造特征尺寸小于22nm芯片的最有前途的光刻技术,极紫外光源是极紫外光刻技术的重要组成部分。激光辅助放电等离......
伪火花放电是一种工作于巴申曲线左半支、引燃于空心阴极结构、具有弥散的主放电通道的特殊低气压放电,在脉冲功率和等离子体等领......
由于高次谐波具有持续时间短、频谱宽、波长可调谐的特点，且频谱覆盖了从紫外到极紫外波段甚至软X射线(0.01~100埃)的频谱范围，因此，......
有一种说法是，现代文明是电子芯片驱动的。从航天事业到日常生活，电子芯片对于现代文明的影响无处不在。而这所有的芯片，又无一例外都......
为了研究极紫外光源系统中收集镜的形状和液体微滴的漂移，计算了收集镜的参量，并采用ZEMAX模拟了液体微滴上下和左右漂移50μm，100μm......
极紫外光刻（EUVL）技术能突破30 nm技术节点、可应用于大规模工业生产,是下一代光刻技术的核心之一。极紫外（EUV）光源是EUVL的源头,寻找......
采用正交放置的两路CCD,基于图像采集及处理的方法,建立了极紫外光源锡液滴靶发生装置的锡液滴检测系统,可以实时监测锡液滴的运动......
极紫外光刻技术可以制造特征尺寸小于22 nm的芯片,是推动半导体集成电路发展的重要手段。极紫外光源是极紫外光刻系统的重要组成部......
为了进一步研究13．9nm类镍银和19．6nm类氖锗X射线激光，制备了工作在上述两个波长的Mo／Si多层膜反射镜。设计了结构简单、操作方便的小......
为了满足激光诱导等离子体（LPP）体制下极紫外（EUV）光源对CO2激光器提出的稳定性需求,建立了简化的CO2激光传输系统模型,根据光束稳定性......
飞秒极紫外光脉冲是研究原子分子超快动力学过程的重要工具,是同步辐射及自由电子激光这样的大科学装置的重要补充,而且具有非常诱......
波长13.5 nm的极端紫外光刻（EUVL）作为传统光刻技术的延续,被广泛认为是下一代最有前景的光刻技术（NGL）之一。激光等离子体光源（LPP）具有......
对国际上普遍采用的两种EUV光源：放电等离子体源（DPP）和激光等离子体源（LPP）进行了多方面比较。给出了两种等离子体源各自优点及难以克......
极紫外光刻技术,以中心波长位于13.5nm、2%带宽的极紫外荧光为光源。由于放电Xe等离子体13.5nm极紫外光源具有结构相对简单、造价......
搭建了极紫外光源实验装置,获得了中心波长为13.5 nm的Xe等离子体极紫外的辐射光谱。测量了极紫外辐射的时间特性,用多次箍缩理论......
极紫外光刻技术被认为是下一代最有潜力的光刻技术,对推动集成电路发展具有重要作用。极紫外光源是极紫外光刻技术的源头,其技术水......
<正>日前,由中国科学院大连化学物理研究所和上海应用物理研究所联合研制的极紫外自由电子激光装置——"大连光源",发出了世界上最......
期刊
等离子体状态是决定极紫外光源功率和转换效率的最重要因素之一,理论和实验研究上Xe气流量对放电等离子体极紫外光源辐射谱和等离......
为了进一步研究13.9 nm类镍银和19.6 nm类氖锗X射线激光,制备了工作在上述两个波长的Mo/Si多层膜反射镜。设计了结构简单、操作方......
随着半导体尺寸不断减小的技术要求,13.5 nm的极紫外(EUV)光源备受瞩目,成为了下一代的光刻光源。EUV光源有望将节点缩短至10 nm以......
在半导体制造工艺中,高温激光等离子体极紫外辐射被认为是下一代光刻技术最有前景的候选者。锡和钆元素是目前为止极紫外光源中,中......
半导体产业是高科技、信息化时代的支柱。光刻技术,作为半导体产业的核心技术之一,已成为世界各国科研人员的重点研究对象。本文综......
研究并讨论了下一代光刻的核心技术之一—激光等离子体极紫外光刻光源。简要介绍了欧美和日本等国极紫外光刻技术的发展概况,分析......
本文对Gd靶激光等离子体极紫外光源进行了实验研究,在6.7 nm附近获得了较强的辐射,并研究了6.7nm附近光辐射随打靶激光功率密度变......
