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光子晶体是一种介电常数成周期分布的介质材料,周期为光波长量级。在光子晶体材料中存在着特殊的频带,在这些频带中光波被禁止传播。由于此种特点,光子晶体可以用来制造全新原理的、高性能的光学器件,具有广阔的应用前景。 本论文首先介绍了光子晶体概念和应用的领域,并对其基本原理和理论进行了相关阐述。在掌握理论基础上设计了一套工艺流程,以n型硅为基体,经过氧化、光刻、各向异性腐蚀、光电化学刻蚀等步骤,最后得到二维光子晶体结构,并且自行设计了电化学池以及相关的电化学系统装置,并对整个工艺过程逐步分析,对出现的问题进行讨论研究。 本论文的重点工作在于工艺实验参数的优化,对影响工艺的因素(如光刻中曝光时间、电化学腐蚀中溶液浓度、电压、光照等)做出较全面的分析,并对某些在工艺中起重要作用的参量给出相关的曲线描述。