电荷耦合器件(CCD—Charge Coupled Device)作为一种新型光电成像器件具有许多优于其他成像器件的特点,其应用领域已扩展到航天、遥感、工业、天文、通讯等诸多领域。目前CCD应用比较活跃的领域之一是红外成像系统。本文在对V.I.Khainovskii和V.V.Uzdovskii提出的三沟道BCCD理论模型(包括一个面n沟,一个体p沟和一个体n沟)深入分析的基础上,对硅制BCCD在可见光区及锗制BCCD在近红外光区的光电特性进行了数值模拟。结果显示,硅制BCCD在可见光区,三条沟道光敏特性的峰值响应分别出现在0.5μm、0.67μm和0.83μm处;而在近红外光区,锗制BCCD不能实现多光谱成像,经调试参数发现,其原因在于锗的吸收系数曲线不能满足要求。本文利用探究方法获得了一种新材料的吸收系数曲线,利用该材料制成的三沟道BCCD器件在近红外光区三条沟道的光敏特性最大值分别出现在1.0μm 、1.1μm和1.26μm处。本研究结果为制造可在近红外光区实现多光谱成像的BCCD器件提供了重要的理论依据。