锑化甸薄膜磁阻元件基于电流放大模式的研究

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电流模技术是指以电流模拟集成电路为理论基础的电路设计、制造及应用技术,它是与高速集成工艺相伴发展的新兴技术,是以电流作为参量进行处理的一种信号处理技术。而传感器技术则是现代信息技术的重要部分。把电流模概念应用到传感器技术中,对于传感器在低功耗、高速度等方面的发展有着很重要的意义。本文研究了InSb磁阻元件在恒流源激励下的工作情况,讨论了在这种方式下,它的输出与外加磁场的关系。 本文首先介绍了锑化铟磁敏效应的基本原理,然后介绍了电流模电路的基本组成单元,讨论了激励源的各种组成结构和特点,在此基础上对磁阻元在恒流激励下的电路结构进行了设计。然后对整个系统的各个参量进行测量,并分析讨论了它们之间的相互关系。最后对照真空磁敏传感器,在理论上对这种工作模式进行了探讨。在本课题的工作中,获得了一些有意义的结果:(1) 在这种工作模式下,芯片的功耗非常小,实验中的芯片最大的功耗要小于0.36μW,非常省电,所以芯片的发热量会非常小,只是传统电压模式的十万分之2。(2)对比了两种前置放大器的测量效果,电流反馈式放大器在低激励电流时相对于电压输入型放大器有非常明显的优点,不过对于大电流则优势不明显。(3) 差动放大器可以对部分噪声进行很好的抑制。(4) 对数据进行分析可知,在外加磁场较小的时候,磁感应强度与信号输出呈线性关系。
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