锑化铟相关论文
高帧频中波制冷红外探测器在机载光电吊舱、红外警戒系统、光电跟踪瞄准系统中有着广泛应用。传统的碲镉汞中波制冷红外探测器在保......
太赫兹是一种新的、有很多独特性质的电磁波,太赫兹技术备受研究人员的重视,现如今,太赫兹吸收器的研究愈发火热。在过去的十几年......
太赫兹（THz）波是一种介于微波和红外波之间的电磁波,且尚未被完全开发利用,基于亚波长的电磁超材料为调控太赫兹光赋予了更大的操作......
近年来,太赫兹科学技术在无线通信、国防雷达、安检成像、生物医疗等领域受到日益广泛的关注,已经进入了飞速发展的阶段。超表面,......
自从超材料吸收器的概念从2008年在《Physical Review Letters》上报道以来,其优越的吸收特性和广阔的应用前景得到了广大科研工作......
用TEA CO2激光器输出的脉宽为100ns(FWHM),波长为10.6μm的激光脉冲,在室温下入射InSb F-P标准具,得到了双光子机制的光学双稳性。......
1994年10月,以色列的S.C.D半导体器件公司(Semi-Conductor Devices)组团参加了在北京国际展览中心举办的国际光电技术讨论会(IOPS......
对激光照射下光伏型锑化铟光电探测器的响应特性进行了研究,得到了强激光辐照下温度波动(低温和常温温度波动)对探测器响应特性的......
液氮冲击中锑化铟红外焦平面探测器(InSb IRFPAs)的形变研究对理解探测器结构设计可靠性、预测探测器耐冲击寿命具有重要意义.在系......
光电转换是我们日常生活中众多技术的核心,而光电探测器更是许多器件中必不可少的重要组成部分。随着微电子技术的发展,基于金属和......
提出了由一个竖直的锑化铟(InSb)棒和两个水平的InSb棒组成的F型电磁感应透明结构.利用时域有限积分法计算了该结构的电磁特性,计......
电磁超材料吸波器,作为超材料应用领域中一个极其重要的分支,在传感、探测、热辐射、电磁隐身和成像技术等相关领域具有巨大的应用......
自从超快光纤激光器出现以来,就因为其可实现短脉冲、宽光谱、高峰值功率而备受科研人员们的关注。同时,它还具有光纤激光器所特有......
介绍了军用红外探测器及制导武器的发展现状和发展趋势。
The development status and development trend of military infrared ......
针对薄膜型锑化铟霍尔元件芯片性能测试,设计了一套霍尔元件芯片测试系统.系统主要由手动探针台、显微镜、探针卡、外加磁场、PLC......
光电导型辐射源是目前能够产生高功率太赫兹(THz)电磁波的主要辐射源类型之一。锑化铟(InSb)材料具有很高的载流子浓度和载流子迁......
金属锑化物特别是Ⅲ-Ⅴ金属锑化物已被广泛应用于高速光电子器件、红外光电探测器、热电转换、光伏/太阳能发电、电催化以及锂/钠......
本文研究了InSb磁阻元件在恒流源激励下的工作情况,讨论了在这种方式下,它的输出与外加磁场的关系.本文首先介绍了锑化铟磁敏效应......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
提出了一种工作在太赫兹频段,基于半导体材料锑化铟的超材料带阻滤波器.由于锑化铟材料介电常数的特性,该滤波器的谐振频率能够进......
采用对温度敏感的锑化铟(InSb)材料做基底设计了一种温控太赫兹波带阻滤波器。通过控制外部温度的高低来改变锑化铟基底的相对介电......
为了研究锑化铟(InSb)半导体材料的光电导太赫兹辐射过程,推导了太赫兹近场辐射公式.在考虑俄歇弛豫机制对光电导过程影响的情况下......
InSb由于硬度低、脆性大等特性,其材料表面的精密加工水平成为制约器件性能进一步提高的重要因素。采用化学机械抛光（CMP）技术对InSb......
InSb是一种重要的半导体材料。研究了在压力、流量等工艺参数一定的条件下,通过改变有机碱在抛光液中的体积分数,得到了不同pH值的......
InSb由于硬度低、脆性大等特性，其材料表面的精密加工水平成为制约器件性能进一步提高的重要因素。采用机械抛光技术对InSb进行表面......
通过理论分析计算获得了光伏型InSb红外探测器的的优化掺杂浓度及结深。利用LSS理论估算了Be^＋注入InSb的射程及标准偏差，同时设计了......
用水平开管液相外延技术在锑化铟衬底上用富铟锑化铟母液生长锑化铟薄膜材料,薄膜材料具有n-on-p结构,衬底为p型层,掺Ge,浓度1......
为了研究锂离子电池负极材料InSb的Li嵌入过程,使用基于密度泛函理论的第一原理赝势法,计算了Li离子电池非碳类负极材料InSb在Li嵌......
本文介绍了以锑化铟作为检测元件的单组份、双组份和三组份红外分析仪的技术参数、工作原理、特点以及在热处理气氛控制中的某些作......
为了获得高质量的晶体,需要解决大尺寸锑化铟晶体生长过程中的精确等径控制问题。阐述了采用提拉法生长晶体时的直径控制原理及方......
介绍一种用锑化铟—铟（InSb-In）共晶体薄膜磁阻元件（MR）制成的电流传感器（MRCS），并设计了一种能较大幅度增大其输出电压的信号处理电路。......
设计了一种用InSb-In共晶体薄膜磁阻元件制作而成的液体流量计,该流量计中的转动涡轮由磁钢材料制作,当转动的涡轮叶片靠近InSb-In......
介绍了锑化铟（InSb）磁阻式接近开关的工作原理，设计了信号处理电路，并对其动态性能进行了测试。实验结果表明：径向间距为4mm时，接近开关......
对锑化铟-铟共晶薄膜磁阻元件的齿轮转速传感器电路进行了研究。提出了磁阻三端式信号采集电路和阻容耦合放大的信号处理电路。实......
发现锑化铟一铟共晶体磁阻元件被置于偏磁系统后,对脉冲变化的红外光的照射,它的输出信号增强了.采用灵敏度K1=3.6,K2=1.02(B=0.3T......
随着大格式InSbFPA器件发展，像元间距越来越小，芯片总面积不断增加，对像元加工精度和均匀性都提出了极高的要求，原有的湿法刻蚀已越来......
在对InSb光导探测器量子效率理论分析的基础上，提出两种可有效提高量子效率的方法及其实现方法，并给出相关的应用结果。......
对锑化铟（InSb）铍离子（Be＋）注入后的快速退火技术进行了研究,并对不同退火温度和时间的晶片进行了工艺实验,通过测试其PN结I-V特性,对比......
为了研究锑化铟（InSb）半导体材料的光电导太赫兹辐射过程，推导了太赫兹近场辐射公式。在考虑俄歇弛豫机制对光电导过程影响的情况下，分......
设计了一种基于锑化铟磁敏电阻的接近开关,介绍了锑化铟磁敏电阻结构及接近开关工作原理,并设计了接近开关信号处理电路.动态特性......
为了寻找一种接近开关用于对铁磁性物质的检测,设计了基于锑化铟磁敏电阻的接近开关。介绍了它的工作原理和信号处理电路,并对不同......
基于开口谐振环结构设计了多频带太赫兹波调制器,并在谐振环的开口处及两侧均填充温敏介质锑化铟（InSb）,研究了锑化铟的电磁性质随温......
介绍了锑化铟磁阻式接近开关的结构及工作原理，设计了信号处理电路，并对接近开关的动态特性进行了测试和分析。实验表明：该接近开关具......
采用脉冲电沉积结合阳极氧化铝模板技术制备了不同生长方向的闪锌矿型InSb纳米线阵列。结果表明，控制电解液中十二烷基硫酸钠（SDS）的......
设计了基于锑化铟磁敏传感器的接近开关和信号处理电路,并对不同径向间距下接近开关性能进行了研究,分别分析了动作距离、复位距离......
在12~300K的温度范围内研究了InSb薄膜（利用MBE生长）的磁阻效应随厚度的变化关系.实验发现厚的InSb薄膜只能产生半经典（∝B2）磁阻效应.......
