随着信息化检测技术的发展,要求更高的传感器精度和性能。SAW传感检测技术是一项较新的传感技术。由于其灵敏度高、体积小而且便于半导体工艺相集成受到了广泛的研究。但是,目前国内外大多数的SAW物理量和化学量传感器都是基于延迟线振荡器的。与SAW延迟线(SAWDL)振荡器相比,双端SAW谐振器的传输特性与高Q延迟线的特性非常类似,但它有几个重要特点:一是谐振器的插入损耗要小得多;二是谐振器的尺寸很小;三是声表面波谐振器调频范围比声表面波延迟线型窄,增加调频范围会降低稳定度。所以对于声表面波气体传感器来说,研究声表面波谐振器十分有必要。另一方面,高性能的ZnO薄膜声表面波器件要求ZnO薄膜高C轴取向,晶粒致密均匀、表面光滑、缺陷少且薄膜的电阻率高。本文对于声表面波谐振器展开了理论分析和研究,并探讨了缓冲层对于声表面波器件缺陷性能的影响。通过在Si(100)衬底、Ti/Si(100)衬底和Au/Si(100)衬底上分别制备ZnO薄膜,探讨了缓冲层对ZnO薄膜结构和缺陷的影响,并利用X射线衍射(XRD)测试了ZnO薄膜的晶体结构及择优取向、利用原子力显微镜(AFM)观察ZnO薄膜的表面粗糙度、利用PL光谱检测了ZnO薄膜的缺陷、利用半导体参数分析仪测试了ZnO薄膜的电阻率,重点比较了Ti缓冲层上和Si衬底上ZnO薄膜的性能,分析了Ti缓冲层对于ZnO薄膜缺陷的改善作用。结果表明在Ti(缓冲层)/Si(100)衬底上、衬底温度350 oC的条件下制备的ZnO薄膜表面光滑、缺陷少、电阻率高且具有高C轴取向。这一工作对于压电薄膜缺陷分析及高性能ZnO声表面波器件研制有较大的意义。