钙钛矿结构掺杂锰氧化物由于其丰富的物性和在自旋电子学中潜在的应用前景倍受关注。在本论文中,我们以锰氧化物薄膜和异质结为研究对象,详细探索了他们的电磁输运性能和光诱导效应。具体内容如下:1、采用直流磁控溅射的方法制备出多种锰氧化物薄膜,并在单晶硅(001)衬底上在La2/3Sr1/3MnO3-δ(LSMO)薄膜的生长过程中,采用调节衬底温度的方法实现了对薄膜取向的调制,制备出高度c轴取向的LSMO薄膜。2、详细研究了LSMO薄膜的光电导效应以及影响因素,发现了LSMO薄膜中的电致电阻效应、电流辅助下的薄膜光电导效应以及磁场对LSMO薄膜持久光电导(PPC)的擦洗效应。3、研究了锰氧化物/SrTiO3+0.5wt%Nb(STON)异质结的电磁输运性质,在其中观察到了整流效应,确认了高温下异质结中的隧穿行为,同时观察到了La0.7Ce0.3MnO3/STON异质结中磁电阻随温度、偏置电流发生正负符号渡越的行为,结合隧穿模型给出了合理解释。4、对锰氧化物/SiO2/Si异质结进行了输运及其光诱导效应研究。探讨了各种条件下的输运机制,发现异质结在TC温度以上有着正向I-V输运行为,而在TC温度以下有着反向I-V输运行为。同时观察到异质结中巨大的光致电阻现象。5、研究了锰氧化物/STON和锰氧化物/SiO2/Si两类异质结的光伏效应。对异质结光伏对温度、光功率、磁场的依赖关系等方面进行了较为详细的探索。在锰氧化物/STON异质结中上发现了与磁性有关的新型光伏效应,并成功地实现了光伏效应的磁场调控。