集成电路铜互连中硅碳氮介质阻挡层的制备与特性研究

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【摘要】

：

随着集成电路技术不断发展,互连RC(R为电阻,C是介质电容)延迟却逐步增大。从130nm技术阶段开始,其已成为影响电路速度的主要矛盾。为提高互连性能,采用新的低电阻率金属互连材料(Cu)和低介电常数互连介质材料的铜互连技术应运而生。Si_3N_4常被用作大马士革工艺中的电介质阻挡层,在其成型过程中也被用作刻蚀停止层,同时也是其下方铜导线的覆盖层,器件的稳定性受其影响较大,而Si_3N_4是一种高介

【作者】

：

石之杰

【机构】

：

中南大学

【发表日期】

：

2009年06期

【关键词】

：

磁控溅射 SiCN薄膜表面形貌介电常数扩散阻挡特性

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