目前CdZnTe晶体是制备χ射线及γ射线探测器最优选的材料。CdZnTe探测器可广泛用于安检、工业探伤、医学诊断、天体X射线望远镜等方面。制备CdZnTe探测器的关键技术之一就是在CdZnTe表面制备出欧姆接触的薄膜电极。本文采用直流磁控溅射方法在P型CdZnTe晶体上分别溅射不同金属作为电极,以期找到能在CdZnTe晶体表面形成良好欧姆接触的电极材料,为制备高性能CdZnTe探测器打下基础。论文的主要研究内容及结果如下: 在JGP560C型磁控溅射镀膜机上、采用直流磁控溅射法在P型CdZnTe晶体上制备出Au、Cu/Ag、Al、Ti金属薄膜,通过测试I-V曲线评价其接触性能,并对其中最好的接触电极Au进行了详细研究;揭示了工艺参数对薄膜沉积速率及性能的影响规律。结果表明,随着溅射功率的增大沉积速率几乎呈线性增大;采用直流磁控溅射法制备的Au薄膜呈多晶结构;在研究的功率范围内,100W下制备的Au薄膜柱状晶细小;在研究的衬底温度范围内,300℃时Au膜结晶最好。 采用Agilent 4339B高阻仪测试了P型CdZnTe上制备Au后的I-V曲线,并通过I-V曲线来评价接触性能。结果表明,在相同的表面状况下,高溅射功率制备的Au膜具有较好的欧姆接触性,衬底温度为300℃时显示出较好的欧姆接触性。表面化学抛光改善了接触性能;对制备的薄膜进行适当的退火有利于接触性能的提高。 Au膜的应力分析表明,随着溅射功率增大薄膜应力增大;随着衬底温度增加薄膜应力减小;随着热处理温度增加薄膜应力减小。利用划痕法对Au薄膜附着力进行定性分析,采用直流磁控溅射法制备的Au薄膜附着性都比较好。溅射功率增大和衬底温度提高可提高Au与CdZnTe晶体的附着力。