目前,在非易失性存储器(NVM)领域内,应用最为广泛的是Flash存储器,然而,由于受到读写速度、寿命、工作电压等诸多因素的影响,Flash难以满足当前大数据时代对存储器的要求。因此,急需开发新型的非易失性存储器。目前在已开发的多种新型非易失性存储器中,阻变存储器(RRAM)因为具有微缩性能好、开关速度快、耐用度强、保留数据时间长、功耗低等优势,激发了科研人员的研究热情。本论文首先比较了四种新型非易失性存储器的发展前景,阐明了阻变存储器的技术优势。然后深入研究了热丝化学气相沉积(HWCVD)法制备硅钨氧薄膜的技术,分析了衬底温度对薄膜生长速率和折射率的影响,发现随着衬底温度升高,薄膜的沉积速率增加,而高的沉积速率使薄膜的折射率降低。其次用FTIR、XPS、SEM对薄膜的组分和形貌进行表征。FTIR表征结果说明随着衬底温度升高,薄膜中C杂质含量减少;经过退火处理后,薄膜中C、H杂质的含量会进一步减少。XPS表征结果说明薄膜中W、Si和O元素的原子百分比分别为:20.40%,13.13%和66.44%,且同W相结合的O与W的摩尔比为1.9,同Si相结合的O与Si的摩尔比为2.1。SEM表征结果说明薄膜结构致密,平整度好,满足制备RRAM器件的条件。最后制备了基于Ag/Si_XW_YO_Z/Si结构的阻变存储器。器件的I-V测试结果表明:Ag/Si_XW_YO_Z/Si结构的器件表现出了双极开关特性,器件的形成电压为6V,开启电压为3.2V。在施加不同限制电流的条件下,器件的开态电阻随限制电流的增大而减小;而器件的关断电流会随限制电流的增大而增大。通过比较Ag电极直径分别为0.2mm、0.3mm、0.5mm的器件,发现当Ag电极直径为0.2mm时,器件的高低电阻比率更大。对器件I-V曲线拟合验证了Ag/Si_XW_YO_Z/Si结构的RRAM器件的阻变行为是由金属导电细丝的形成和断裂实现的。