该文将激光表面处理与化学液相沉积结合起来,提出了一种新的微细镀覆加工技术:陶瓷基底激光微细镀覆技术.该工艺有效结合了激光的高分辨率微加工性能和化学液相沉积的条件温和、工艺简便的特性,渴望实现高分辨率、低成本的混合集成电路互连布线制作.另外,我们还对半导体基底激光电镀方法进行了探索性研究.该论文工作的主要内容及研究结果如下:1、陶瓷基底激光微细镀覆工艺的前期处理及结果分析,陶瓷进行化学镀实验之前,要经过激光表面处理、活性两个步骤.经SEM、XPS分析发现,激光表面处理可以改变陶瓷表面局部的粗糙度,从而可以进一步实现局部区域的活化.2、镀层质量分析及影响因素运用SEM、EDS、XPS等方法对陶瓷基底激光微细镀覆得到的镀层进行分析,发现镀层质量与激光处理后陶瓷表面的粗糙度、化学镀液成份以及化学镀方法有着密切的关系.激光处理后,当粗糙度Ra介于0.5μm与0.7μm之间时,可以获得光亮,致密的镀层;在一次化学镀的基础上进行二次化学镀可以得到更光亮、更致密、晶粒更均匀的镀层.该实验得到的铜镀层技术参数为:方阻0.02Ω/□,附着力218g/mm<2>,线分辨35μm,布线速度50mm/s.3、半导体基底激光电镀方法的探索研究了镀层质量与槽电压、激光功率的关系.结果表明,激光功率太大时,无法得到集中的铜斑;当激光功率适当时,增加槽电压可以使铜斑的高度随之变大,当槽电压达到一定数值时,在铜斑的中心出现"铜丝"现象.