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采用chartered035um2p2mCMOS工艺，设计一个低压差线性稳压器，输入电压为25V-5.0V，输出电压为1.8V，负载电流为100mA，电压降为300mV。
设计了一个带隙基准电路,输出两个参考电压，一个为1.2V，给误差放大器作参考电压，一个为0.485V，给温度保护电路作参考，输出电压对温度的变化为30.3ppm/℃。线胜稳压为5mv。在频率100kHz下，电源抑制比为49.8dB。
提出丁一种加快低压差线性稳压器的响应时间的结构，该低压差线性稳压器具有以下特点：低静态功耗，快速响应速度。
研究了低压差线性稳压器的保护电路，即温度保护电路，过流保护电路。提出了一种温度保护电路结构，该结构可以进一步减小芯片的功耗和面积，保护温度为150℃，迟滞保护温度为20％。过电流保护是采用一种高精度的采样电流结构。