稀土掺杂的硼钼酸盐、磷酸盐和硅酸盐材料是发光材料的重要组成部分。Eu³⁺,Eu²⁺,Ce³⁺和Tb³⁺作为掺杂剂，被广泛地使用于荧光粉中；而上述基质材料以其在紫外/近紫外（UV/n-UV，Ultraviolet/near Ultraviolet）区有效的吸收和发光特性以及良好的稳定性，在白发光二极管（w-LED）照明和显示领域备受关注。研究稀土掺杂的磷酸盐、硼钼酸盐和硅酸盐材料的发光性能，对寻找适合w-LED应用的发光材料具有实际意义。本论文选择了硼钼酸盐Eu₂MoB₂O₉、磷酸盐Ba₂MgP₄O₁₃和硅酸盐CaGd4Si3O13作为基质材料，采用高温固相烧结法制备了稀土离子Eu³⁺, Eu²⁺和Mn²⁺, Ce³⁺和Tb³⁺掺杂的发光材料。分别对稀土(Eu³⁺, Eu²⁺和Mn²⁺,Ce³⁺和Tb³⁺)掺杂的三类荧光粉的结构和发光性能进行了表征，对材料在UV/n-UV光激发下的发光特性从衰减、色度等方面进行了阐述分析，并对其发光机理以及实际运用方面进行了探讨。第三章通过X射线衍射（XRD）测试手段，对制备出来的Eu₂MoB₂O₉材料的相结构和形貌特征进行了表征。Eu³⁺离子完全浓度掺杂的Eu₂MoB₂O₉红色荧光粉在近紫外区（250-350nm）和（350-550nm）区域内有很强的吸收，分别来自O2-→Eu³⁺的能量迁移和Eu³⁺离子4f9能级的f–f跃迁。其发光光谱和色度坐标显示，Eu₂MoB₂O₉可以发出很强烈的红光，其主要峰位在近615nm处，来源于Eu³⁺离子5D0→7F2的电偶极跃迁。讨论了在近紫外区激发光下，材料发光的温度依赖和衰减曲线，计算出了发光的寿命。结果表明，Eu₂MoB₂O₉可以很好地匹配近紫外光LED芯片的发光波段，具有作为红色荧光粉应用于白光LED的潜在价值。第四章通过X射线衍射（XRD）的测试结果，说明制备的Ba₂MgP₄O₁₃:Eu²⁺荧光粉是纯相的材料。讨论了激发光谱中吸收峰所对应的是Eu²⁺离子的4f-5d跃迁；发射光谱和色度坐标显示Ba₂MgP₄O₁₃:Eu²⁺可以发出很明亮的蓝光，其峰位在409nm处，源于取代Ba²⁺离子位置的Eu²⁺离子的4f65d1→4f7电偶极容许跃迁。分析了在近紫外光激发下，材料发光的温度依赖和衰减曲线，计算出了发光的寿命。结果表明，Ba₂MgP₄O₁₃:Eu²⁺可以很好地匹配紫外光LED芯片的发光波段，同时具有作为蓝光荧光粉应用于白光LED的潜在价值。第五章测试和分析了Ce³⁺和Tb³⁺离子单掺及共掺的CaGd4Si3O13荧光粉的发光性能。研究了CaGd4Si3O13:Ce³⁺、CaGd4Si3O13:Tb³⁺、CaGd4Si3O13:(Ce³⁺,Tb³⁺)的激发和发射光谱。结果表明，Ce³⁺，Tb³⁺共同掺杂硅酸盐CaGd4Si3O13材料时，Ce³⁺离子把能量转移到Tb³⁺离子，使Tb³⁺离子发光大大增强，Ce³⁺对Tb³⁺离子发光起到有效的敏化作用。同时发光光谱显示， CaGd4Si3O13:Tb³⁺和CaGd4Si3O13:(Ce³⁺,Tb³⁺)可以发出绿光，而CaGd4Si3O13:Ce³⁺的发光则是蓝色。第六章通过XRD测试了Mn²⁺单独掺杂、Mn²⁺/Eu²⁺离子共同掺杂的Ba₂MgP₄O₁₃的晶体结构。Ba2Mg1-xMnxP4O13（x=0.01-0.85）的发光光谱呈现出一个峰值位于610nm处的宽发光带，来源于取代Mg²⁺离子位置的Mn²⁺离子的4T1–6A1跃迁；而其激发光谱中的激发带均源自于Mn²⁺离子的d–d跃迁。从Ba1.94Eu0.06Mg1-xMnxP4O13（x=0-0.12）荧光粉的发光光谱中可以看出，随着Mn²⁺离子掺杂浓度的改变，其红发光峰的位置没有发生移动，同时发生了从Eu²⁺到Mn²⁺离子的有效的能量转移。分析了x=1.0时样品发光的温度依赖曲线。讨论了两类荧光粉各自的发光衰减曲线，并计算出它们的发光寿命。Ba1.94Eu0.06Mg1-xMnxP4O13（x=0-0.15）荧光粉的CIE色度坐标值随着x值的不同，样品发光颜色从蓝紫到深红各不相同。可以通过控制Mn²⁺离子的浓度，得到发红光的荧光粉，从而可以使其作为潜在的白发光二极管（w-LED）用红光荧光粉。本论文创新点是系统研究了主要的稀土离子Eu³⁺，Eu²⁺，Ce³⁺/Tb³⁺分别掺杂的硼钼酸盐Eu₂MoB₂O₉、磷酸盐Ba₂MgP₄O₁₃和硅酸盐CaGd4Si3O13的激发和发射光谱、色度坐标、衰减曲线与温度依赖等；讨论了其各自的发光机理，探讨了它们在白光二极管（w-LED）显示器件和照明领域的潜在应用价值。