Si基材料光发射的研究是当前半导体光电子学与光子学中迅速发展起来的一个前沿领域，Si基量子点的光发射是近年来极引人注目的新研究方向。本文阐述了Si基光发射材料的研究进展及它在硅基光电子集成中的重要地位，从三维受限量子点的分立能级和δ函数状的态密度分布入手，着重讨论了Si基量子点激光器的增益、微分增益、阈值电流及阈值电流的温度特性。分析表明，与普通激光器和量子阱激光器相比，Si基量子点激光器有更高的增益和微分增益，阈值电流更低，阈值电流对温度更不敏感。 本文描述了制备Si基量子点的几种常用方法，介绍了本文中所使用的溶胶-凝胶方法制备nc-Si（Si量子点）/SiO₂薄膜，给出了nc-Si/SiO₂薄膜的扫描电镜图像和反映nc-Si/SiO₂薄膜成分的能谱图，为我们在Si基量子点发光的研究中作进一步的工作奠定了基础。