二维半导体材料由于具有优良的光电性能近年来受到广泛关注。此类材料由于具有较高的载流子迁移率、柔性好、完全透光性、良好的场效应和各向异性等特性,在晶体管、光电探测器,太阳能电池等器件中有重要的应用价值。我们采用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理计算方法,研究了电场下SnS多层薄膜的电子结构和介电性质。研究结果表明可以通过外加电场或表面吸附的方式实现对SnS二维结构带隙的调控,我们对调控机理进行了系统的研究。我们的研究工作对二维纳米光电子器件的设计有一定的参考意义。论文主要研究内容和结果如下:1)外加电场可以调控SnS多层薄膜的带隙并且引起半导体向半金属（semi-metal）的转变。双层SnS发生转变的临界电场值是0.09 V/?,比很多二维硫化物材料都要低,如:MoS₂（0.3 V/?）,MoSe₂（0.25 V/?）,MoTe₂（0.2 V/?）,WS₂（0.27 V/?）和WSe₂（0.20V/?）,意味着二维SnS中更容易实现电场对带隙的调控。同时,我们发现二维SnS对电场的响应与层数有很大关联。通过对电子结构和介电性质的分析,我们解释了为什么多层SnS薄膜对电场更敏感。2)表面吸附离子产生的电场也可以对二维SnS的带隙进行调控。吸附在SnS表面的K⁺或Ca²⁺可以产生一个垂直于二维SnS表面的电场,二维SnS的带隙可以被这个电场调节。为了阐明离子吸附调节带隙的可行性,我们计算了吸附离子的形成能和离化能。K和Ca的离化能分别为为0.41eV和1.33eV,形成能分别为0.26 eV和1.07eV,所以,K和Ca都可以起到表面吸附、产生电场和调节带隙的作用。同时,与Ca相比,K更容易吸附、更容易电离。由此可以看出,二维SnS对电场灵敏的响应特性使其在多波长光电探测器、多波长透光玻璃、太阳电池和纳米光电器件方面有潜在应用价值。