本文结合无铅压电陶瓷材料的研究现状，选择 (Bi<,0.5>Na<,0.5>)<,1-x>Ba<,x>TiO<,3>(0.06≤x≤0.075，简称为 BNBT67) 为研究对象，为了提高其压电、介电性能，从制备工艺和掺杂改性两方面进行研究。 第一部分采用直接反应烧结法制备出BNBT67陶瓷。实验研究结果表明，采用直接反应烧结法制备 BNBT67 能较大幅度的提高其压电、介电性能。X射线衍射 (XRD) 和扫描电子显微镜(SEM)分析发现：采用直接反应烧结的BNBT67陶瓷仍是纯钙钛矿相结构；在 2θ=46°的三、四方相共存处，三方相含量增多、四方相含量减少；并且，直接反应烧结法有利于BNBT67陶瓷的晶粒长大。 第二部分对(Bi<,0.5>Na<,0.5>)<,0.93>Ba<,0.07>TiO<,3>(简称 BNBT7) 陶瓷进行铟掺杂，研究铟掺杂对 BNBT7 陶瓷的压电、介电性能及显微结构的影响，并对铟的掺杂改性机理进行了初步探讨。通过详细研究掺杂量和工艺参数对陶瓷样品性能的影响，确定材料最佳配方为：(Bi<,0.5>Na<,0.5>)<,0.93>Ba<,0.07>TiO<,3>+0.16wt％In<,2>O<,3>最佳制备工艺为：烧结温度：1150℃，保温时间：3h，极化电场：5kv，极化温度：30℃，极化时间：5min。 实验研究结果表明，铟掺杂对 BNBT7 陶瓷的压电、介电性能产生较大影响，当掺杂量小于或等于 0.16wt％时，BNBT7 陶瓷的介电常数ε<,33>/ε<,0>、压电常数d<,33>和厚度机电耦合系数 k<,t> 增加，介电损耗 tan δ增加，机械品质因数Q<,m>降低，呈现出“软性”掺杂的特点；当掺杂量处于0.16～0.24wt％范围时，介电常数ε<,33>/ε<,0>、压电常数d<,33>和厚度机电耦合系数 k<,t> 降低，介电损耗 tan δ减小，机械品质因数Q<,m>升高，表现为“硬性”掺杂的特征。