硅漂移探测器（SDD,Silicon Drift Detector）是一种基于侧向耗尽原理的半导体探测器,该探测器由小面积n⁺阳极完成大探测体积中信号电子的收集。无论探测器面积多大,都可以获得较小的读出电容（～60f F）,合理的漂移时间（<100ns）可以实现2D位置灵敏探测,无需液氮制冷便可实现超高能量分辨率(128e V@⁵⁵Fe)。综合这些特征硅漂移探测器在X射线光谱学与成像领域备受关注,被广泛应用于X荧光分析、天体物理、高能物理、医学成像等领域。希望通过我们的研究工作,为国家的硅漂移探测器的自主研制提供有益尝试。本论文主要工作内容为:（1）理论分析硅漂移探测器工作原理,以X射线与半导体的相互作用与探测器侧向耗尽原理出发,研究了电子信号在硅漂移探测器中漂移扩散以及阳极读出的过程。采用Silvaco仿真工具,选择合适物理模型,构建硅漂移探测器同心漂移环与多保护环结构,仿真器件阳极漏电流、电势电场分布和电子浓度分布,分析电荷漂移路径的影响因素,验证保护环与光响应特性,完成器件特性仿真分析。（2）完成硅漂移探测器工艺制备后进行电学特性测试,分析关键电学参数。研究了漏电流偏压条件的依赖性、保护环偏压的依赖性,分析内环偏压对器件性能的影响。成功降低阳极漏电流至0.2n A,提高器件反向击穿电压至-200V。优化漂移环设计环宽70μm环间距30μm。仿真内置分压电阻器,实现横向漂移电场的优化。（3）实现硅漂移探测器线封装,完成激光脉冲信号测试,得到了清晰的脉冲曲线,验证了硅漂移探测器的激光响应能力。