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近年来,基于磁电阻效应(CMR)设计和制造的半导体器件以其优异的性能得到广泛的认可,其中锰氧化物钙钛矿体系材料具有超大磁电阻效应和丰富的物理现象备受人们的关注。锰氧化物钙钛矿材料中存在复杂的电荷、轨道、自旋和晶格自由度之间的相互耦合作用。研究锰氧化物钙钛矿材料CMR效应给我们了解电子强关联系统材料提供了一条很好的途径,也必将推动磁电阻材料的发展。本文以La0.67Ba0.33Mn1-xZnxO3(0≤x≤0.2)和La0.5Ba0.5Mn1-xCrxO3(0≤x≤0.3)两种体系作为研究对象