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本文通过Langmuir单探针和光发射谱对合成金刚石薄膜的等离子体环境进行了原位诊断；初步探讨了金刚石薄膜生长的动力学过程；并采用辉光等离子体辅助化学气相沉积(CVD)技术制备得到了n型金刚石薄膜。通过Hall效应，二次离子质谱(SIMS)及扫描电子显微镜(SEM)等多种技术手段，对n-型金刚石薄膜的导电特性、成分和薄膜的形貌等方面进行了表征。首次采用CVD技术实现了以钾为施主的金刚石薄膜的n型掺杂。其中，采用CVD技术制备的以硫为施主的n型金刚石薄膜的迁移率与Ⅰb单晶金刚石硫掺杂的迁移率达到了相同