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针对常用的硅基MEMS器件难以在高温、高压、腐蚀性等条件下正常工作的情况，本文开发了适用于恶劣环境的碳化硅MEMS谐振器。
本文利用PECVD手段制备碳化硅薄膜，其低温特性使工艺易于与CMOS工艺集成。
在初步设计谐振器结构的基础上，本文用ANSYS软件对结构进行了模拟，并根据模拟结果对结构进行优化和改进，得到了最终的谐振器结构及其相应的设计版图。
作为研究的基础性工作，本文对碳化硅材料的力学、电学和应力特性进行了研究，探讨了工艺手段对上述特性的影响。
在加工碳化硅谐振器的过程中，本文针对若干关键工艺开展了单项试验，以选择确定最后的工艺手段，优化工艺参数。开发出适用于POSTCMOS的表面微机械加工工艺，制备了适应恶劣环境的碳化硅谐振器。
本文对制作的碳化硅谐振器进行了性能测试，分析了测试数据。最后，本文总结了此项研究工作中的成果和问题。