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稀土掺杂硅氮化物发光材料具有物理化学性能稳定、发光强度高、抗热猝灭性能好等诸多优点。本论文以硅氮化物MAlSiN3和Sr2Si5N8作为基质材料,采用高温固相反应法成功制备了系列Ce3+/Eu2+掺杂的发光材料,系统地研究了 Ce3+/Eu2+掺杂对材料结构与发光性能的影响,以期满足不同LED照明应用领域对材料发光性能的需求。本论文的主要研究工作及结论如下:(1)设计并制备了SrxCa1-xAlSiN3:Ce3+(x=0.0～0.9)固溶体荧光粉。该系列荧光粉适用于蓝光或者近紫外LED芯片激发,其发射光谱为典型的源于Ce3+的宽谱发射。通过改变Ca2+/Sr2+含量,实现了发射光谱峰值在568～615 nm之间的连续调控。该系列荧光粉具有优异的抗热猝灭性能,其热猝灭温度大于500 KK,可以满足常规LED封装对荧光粉抗热猝灭性能的要求。分析对比了 Ce3+和Eu2+掺杂荧光粉的抗热猝灭性能,并阐明了其发光热猝灭机理。(2)合成了Cai-xEuxAlSiN3(x=0.0～1.0)连续固溶体荧光粉。首次合成了EuAlSiN3化合物,并通过Rietveld结构精修获得了EuAlSiN3的晶体结构信息。通过改变Eu2+含量,实现了荧光粉发射光谱在656～697 nm之间的连续调控。当Eu2+含量为0.015时,样品发射光谱强度达到最大,峰值波长为666nm。变温光谱测试结果表明,Eu2+含量越低,抗热猝灭性能越好,反之,则越差。(3)发现了(Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+荧光粉具有优异的红色长余辉发光特性。研究了 Sr2+含量和Eu2+浓度对样品长余辉发光性能的影响。结果表明,优化Sr2+含量和Eu2+浓度分别为0.8和0.15%,相应的余辉光谱峰值波长和余辉时间分别为628 nm和9600 s。通过热释光激发光谱(TLES)和稳态激发光谱(PLES)测试,阐明了(Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+的长余辉发光机理,并与传统的SrA12O4:Eu2+,Dy3+进行了对比分析,发现二者长余辉发光的电子激励过程不同。(4)制备了Sr2-2Eu2xSi5N8(x=0.0～1.0)连续固溶体荧光粉。研究了Eu2+含量对样品晶体结构和发光性能的影响。XRD结果表明,Eu2+进入晶格,具有择优占位特性。通过改变Eu2+含量,可以实现发射光谱峰值波长在610～725 nm之间的连续调控。当Euu2+含量为0.15时,荧光粉具有最佳的微观形貌以及最大发射光谱强度,峰值波长位于660nm。LED封装结果表明,该荧光粉在LED植物生长灯和全光谱白光LED等领域具有重要应用价值。