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氮化硅薄膜是一种具有十分优良的物理化学性质的介质膜,具有优良的化学稳定性,高电阻率,良好的绝缘性和光学性能,广泛地应用于半导体器件、微电子工业、光电子工业和太阳能电池等方面。目前,氮化硅薄膜的制备方法主要有低压化学气相沉积(LPCVD)、脉冲激光沉积(PLD)、磁控溅射、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)等。脉冲激光沉积(PLD)是近些年来发展起来的先进的薄膜制备技术,与其他方法相比,脉冲激光沉积具有沉积温度低、工艺参数方便调节、污染小、沉积速率相对较高且易制备成分复杂的薄膜等优点,因