【摘 要】
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各向异性磁电阻(Anisotropic Magnetorcsistance，AMR)材料可用来制作磁场传感器。和其它磁场传感器如霍尔器件、半导体磁敏电阻相比，AMR传感器具有灵敏度高、温度稳定性好、体积小等优点。NiCo软磁合金具有比NiFe高的AMR值，而且其饱和场较大，可使NiCo薄膜磁传感器的工作范围比NiFe薄膜传感器更大。NiCo薄膜的研究有利于进一步扩大AMR传感器的应用领域。
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各向异性磁电阻(Anisotropic Magnetorcsistance，AMR)材料可用来制作磁场传感器。和其它磁场传感器如霍尔器件、半导体磁敏电阻相比，AMR传感器具有灵敏度高、温度稳定性好、体积小等优点。NiCo软磁合金具有比NiFe高的AMR值，而且其饱和场较大，可使NiCo薄膜磁传感器的工作范围比NiFe薄膜传感器更大。NiCo薄膜的研究有利于进一步扩大AMR传感器的应用领域。 本文用直流磁控溅射法制备了不同厚度的Ta／Ni_(1-x)Co_x(x≈13、17、
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