LIGBT作为一类重要的栅控双极功率器件,既具有MOSFET的控制功率小、输入阻抗高、驱动电路简单、开关速度高的优点,又有双极型功率晶体管的饱和压降低、电流密度大、电流处理能力强的优点,因此LIGBT器件被广泛地应用在各种功率集成电路以及电力电子系统中。但在工作中,由于电导调制作用,阳极会向漂移区注入大量空穴,其中部分空穴会在正漏极电压作用下直接注入到衬底,从而产生严重的衬底漏电流,影响电路性能。为降低LIGBT的衬底漏电流,本文提出如下两类新结构:(1)针对自热效应严重,击穿电压低的的问题,提出了分层SO ILIGBT结构:新结构引入了埋氧层阳极和中间窗口,通过利用衬底参与承担电压体和利用硅窗口传导热量,提高了整个器件的耐受电压并且降低了自热效应。仿真结果表明:新结构的击穿电压提高1.5倍以上,工作时的热点温度下降15K以上,同时衬底漏电流低至7×10-12A/μm,开关速度基本不变。(2)针对第一种结构工艺复杂,电流导通能力不够强的问题,提出了双通道SO ILIGBT,新结构引入了双栅结构,并且进一步缩短埋氧层的长度,通过增加导电通道的方法,提高了电流导通能力,仿真结果表明,新结构的击穿电压达到400V左右,饱和电流浓度最高达到3.7A/μm,同时衬底漏电流在7×10-12A/μm以下,开关速度基本不变。