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针对我国特别是西南地区玉米纹枯病发生日趋严重，已成为危害该区玉米的主要病害，而纹枯病的抗性资源缺乏，且抗玉米纹枯病遗传机制不十分清楚的实际情况，本研究从筛选抗玉米纹枯病的种质资源入手，利用现代分子标记技术对玉米纹枯病的抗性基因进行QTL定位，以期对抗玉米纹枯病的遗传变异规律有较深入的了解，从而为抗玉米纹枯病的育种奠定较为坚实的基础。通过研究，取得了以下主要结果： 1．对从全国各地收集到的45份玉米自交系进行连续两年的人工接种鉴定，结果发现高抗玉米纹枯病的自交系1份（CML270），中抗自交系12份（R15和R09等），中感自交系29份和高感玉米纹枯病自交系3份（478、ES40、D黄212）。其中，中抗玉米纹枯病自交系R15对纹枯病的抗性明显高于其他中抗自交系，而且还是四川农业大学玉米研究所选育出的“三高”自交系，对其进行较深入研究，不仅有助于对抗玉米纹枯病机制的了解，而且对玉米抗病育种和生产实践具有更重要意义。 2．以R15（抗）和478（感）为亲本配制F2分离群体为作图群体，构建了含146个SSR标记位点的遗传连锁图谱，覆盖玉米基因组1666cM，平均距离为11.4cM。利用F2：3群体将玉米纹枯病的5个抗性QTL定位于第2、6、10染色体上。基因作用方式除第10条染色体上的QTL仅表现为加性效应外，其余均为部分显性，且所有效应均为负值，这意味着这些基因效应有利于增加后代的抗病性。5个QTL共解释表型总变异的28.92％，其中第2条染色体上的一个QTL能解释10％以上的表型变异，可认为是主效基因位点。所检测到的5个QTL位点与邻近标记的距离分别为10.00、3.90、2.91、1.90、3.50 cM，该定位结果可用于分子标记辅助选择。 3．本试验除利用复合区间作图法定位抗纹枯病的QTL外，同时还应用单因子方差分析法对F2：3群体的抗病性作了QTL分析。结果发现两种分析方法所得结论一致性很好，在一定程度上进一步说明本研究所定位的5个抗性QTL结果的可靠性。 4．实验中还利用F2：3群体定位了控制株高和穗位高的QTL基因位点，分别位于5、7和1、4染色体上。比较抗纹枯病的QTL与株高、穗位高QTL的定位结果发现，抗玉米纹枯病的QTL与控制株高、穗位高的QTL完全不同，显然它们是受不同位点的基因控制的，这从另一个方面证明确实存在抗玉米纹枯病的基因。也说明玉米感纹枯病并不是其矮化育种的必然结果，即在玉米的半矮化育种中，完全可能发现和培育具有一定抗性的优良品种 5．本研究所检测到的5个抗性QTL仅解释表型总变异的28.92％，这可能与所选的抗性亲本抗纹枯病的能力有关，也可能与所构建的遗传连锁图谱还不够十分饱和及环境的影响有关，在今后的继续研究中，仍需进一步扩大种质资源的筛选，进行多年多点及不同群体、不同世代的考察;构建更加饱和的连锁图谱，以利于进一步的精细定位及分子标记辅助选择