发光二极管（Light-Eimitting Diode简称LED）因具有低能耗、长寿命、绿色环保等的优点，而成为2l世纪最具成长力的新一代照明光源。随着III-V族半导体工艺的日趋成熟，LED芯片研制不断向高效高亮度方向发展。电流扩展层的应用可以大幅提升LED的外量子效率，是提高LED器件性能的一个重要方法。本文基于AlGalnP基四元LED，研究了ITO（氧化铟锡）薄膜作为电流扩展层在LED中的应用。通过实验和分析，研究了电子束蒸镀ITO薄膜的工艺条件对薄膜质量的影响，表明了薄膜的致密性随生长速率的提高而提高，但薄膜的透过率却会随之而下降。蒸镀完成后，通过热处理使ITO薄膜光电特性得到一定改善，折射率增大。通过实验表明，ITO的应用使LED芯片器件的光功率提高35.8%，并且减小了波长的红移。综合分析ITO薄膜在LED中的增透原理以及热处理对ITO薄膜折射率的影响，进而优化ITO膜层厚度，提升了LED的发光效率。