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SnS是直接带隙半导体其禁带宽度为1.3~1.5 eV,非常接近太阳能电池的最佳禁带宽度1.5 eV,并且其具有较大的光吸收系数(>104 cm-1),很适合做太阳能电池的吸收层。由于SnS具有制备成本低、无毒、地球储量丰富等优点,其在薄膜太阳能电池领域具有广阔的发展前景。CdS是禁带宽度为2.4 eV的直接带隙半导体。CdS既有很高的光透过率,以保证有尽量多的光子供吸收,还有较大的光电导率可以减小电池的内阻,因此很适合作为太阳能电池的窗口层材料。太阳能电池的性能与吸收层和窗口层的薄膜质量有密切关系。因此本文采用电沉积法制备了SnS薄膜并研究工艺参数对其物相、形貌、光学性能的影响。优化出的工艺参数为:电流密度为0.5 mA/cm2,Sn2+浓度为10 m M,离子浓度比Sn2+/S2O32-=1/5,EDTA浓度为5 mM,总沉积时间t=1.5 h,沉积温度T=45 oC,溶液pH=2,氩气中300 oC退火。制备的SnS薄膜成分接近化学计量比,均匀致密,具有高的吸收系数。采用化学水浴法制备了CdS薄膜并研究工艺参数对其物相、形貌、光学性能的影响。优化出的工艺参数为:溶液pH=10,反应温度T=80 oC,硫脲浓度0.015 M,氯化镉浓度0.015 M,氯化铵浓度0.03 M,反应时间30 min,氩气中400 oC退火。制备的CdS薄膜接近化学计量比,在(002)方向有明显取向,薄膜致密均匀,具有较高的光透过率。本文还制备出CdS/SnS太阳能电池,并研究了其性能,J-V曲线表明制备的太阳能电池具有明显的整流特性,但是光响应较弱。