纳米氧化锌是一种新型的直接宽带隙半导体低压荧光材料，是制备半导体激光器、发光二级管的理想材料。为了实现纳米氧化锌在发光器件方面的应用，需解决其发光效率和发光色纯度，掺杂和纳米化是改善发光效率和发光色纯度的有效途径。本文以氧化锌为基质进行了掺杂和纳米化的研究。 采用机械力固相化学反应法制备了纳米ZnO： Eu3+发光材料。制备所得的产品呈球状颗粒，粒度为80nm，分布比较均匀，样品的发射主峰为615nm，对应于Eu3+的高灵敏5D0→7F2跃迁。样品的发光强度受掺杂量的影响，在一定范围内发光强度随着掺杂浓度的增加呈现增强趋势，最佳掺杂量为5％。 采用机械力固相化学反应法制备了纳米级ZnO： Eu3+： Li+发光材料。产物为比较规则的球形颗粒，其粒度为50nm，粒度分布较窄。掺杂纳米ZnO的最大激发峰为465nm，发射光谱为Eu的特征发射，主峰位于615nm，对应于Eu3+的SD0→7F2跃迁。共掺杂的Li+离子有效地敏化了Eu3+，掺杂比为3：1时发光强度增幅最大。 采用均相沉淀法制备了纳米ZnO： Eu3+： Li+发光材料。合成样品呈球形颗粒状结构，粒径为20～40nm。样品的最大激发峰为463nm，发射光谱主峰为611nm，较机械力固相化学法所制的样品峰位有蓝移。共掺杂的Li比例对发光强度的影响与机械力固相化学法制备的样品一致。 采用机械力固相化学反应法合成了掺杂纳米ZnO： RE（Nd，Sm，Dy）发光材料。掺杂的纳米ZnO： RE微观结构呈现近球形，分散性较好，粒经介于40～70nm之间。纳米ZnO： RE发光材料的最大激发峰为378nm，对应基质ZnO的带边吸收，发射光谱有两部分组成，其一在400～600nm范围内的宽带发射，其二呈现属于RE离子的特征发射。宽带发射的强度较纯纳米ZnO的强度明显提高，随着掺杂RE离子浓度的增加，宽带的发射与RE离子的特征发射的强度增加，猝灭浓度分别为4％、5％和4％。