碳纳米管(carbon nanotube,CNT)是1991年被发现的一种具有准一维管状结构的纳米材料。其独特的结构和奇特的性质使得它在纳米电子器件、储能、气体传感、场发射与平板显示等众多领域有着广泛的应用。目前,人们已经成功合成了很多纳米管材料,比如硼氮纳米管、硅碳纳米管等。它们的性质与其独特的结构是密切相关的。研究它们的微观结构、性能和反应对于探讨其形成机理,开发其应用潜力具有十分重要的意义。近年来相关理论和数值算法的飞速发展,使得基于密度泛函理论的第一性原理方法在凝聚态物理、量子化学和材料科学中得到非常广泛的应用。在本论文中,我们利用密度泛函理论评估了碳纳米管、硼氮纳米管和硅碳纳米管三类纳米管在分子气敏元件和场发射器件设计方面的应用。本文得到的结果如下:一、CNT具有高的比表面积,可以用来探测一些气体(O2, NO2)的存在。然而,一些有毒气体(CO)不能吸附于CNT,因此CNT不能探测CO气体。本文通过密度泛函理论,通过研究CO在Rh修饰的(8,0)CNT(Rh-CNT)上的吸附,我们探讨了Rh-CNT对CO气体的气敏性能。计算结果表明,Rh原子的吸附“激活”了CNT上部分碳原子,因此Rh原子和被其激活的碳原子都作为CO分子的吸附位置。结果表明,CO在Rh原子上的吸附能(>1.0 eV)远大于在“被激活”碳原子上的吸附(~0.6 eV),两种类型的吸附都伴随着一定数量的电荷转移,且Rh-CNT电子结构发生一定程度的变化。因此,从电荷转移角度来说,Rh-CNT可以用来探测CO气体。然而,过大的吸附能则不利于分子气敏元件的重复利用。二、被切割纳米管端口原子有较强的化学活性,通过一定的化学反应可对其进行化学修饰。我们系统研究了几种气体分子(包括H2、H2O、O2和N2)在开口BNNT端口上的吸附,进而探讨了开口BNNT结构、导电性及磁性的变化。结果表明,除N2分子外,其它气体分子在开口硼氮纳米管端口都被分解。开口硼氮纳米管导电性的变化依赖于吸附的气体种类。此外,N-rich-ended BNNT端口一些N原子的未饱和键被外来气体饱和,因此这些端口N原子的磁性大大降低。三、基于碳纳米管场发射的平面显示器(FED)是最接近实际应用的。BNNT具有很好的耐高温性和抗氧化性,并且开口BNNT具有独特的电学和磁性等特性。然而,相对于开口CNT场发射性质的研究,开口BNNT场发射性质的研究尚未见报道。本文我们研究了O2和H2O吸附对开口(8,0)硼氮纳米管场发射性质的影响。我们发现,在1eV/?的外加电场下,气体在开口BNNT端口的吸附能力显著增强,电离能和带隙发生不同程度的变化。具体来说,N-rich-ended BNNT的电离能被降低,而B-rich-ended BNNT的电离能有一定程度的增加。这表明,N-rich-ended BNNT更适合用来设计纳米场发射器。四、过渡金属修饰的碳纳米管在储氢、气体传感、纳米磁性器件等方面有着重要的应用。硅碳纳米管是继碳纳米管之后成功合成的半导体纳米材料之一,具有独特的性质和广泛的应用。为了更深入揭示硅碳纳米管化学性质以及探索其应用前景,通过密度泛函理论计算,我们首次研究了一系列过渡金属在硅碳纳米管管外壁的吸附。我们发现,这些过渡金属可以化学吸附到硅碳纳米管表面。键能介于1.17 eV(Cu)~3.18 eV(Pt)范围内。此外,这些过渡金属的吸附导致硅碳纳米管能带结构和Fermi能级附近态密度发生了很大的变化。但这些变化仅和硅碳纳米管所吸附过渡金属的种类有关,而和过渡金属在硅碳纳米管上吸附的位置关系不大。一个例外是Ti原子的吸附:当Ti原子吸附到硅碳纳米管六元环中心时,硅碳纳米管由半导体转化为金属型材料;而当Ti原子吸附到硅碳纳米管的碳原子上时,硅碳纳米管仍为半导体材料。最后,我们也发现过渡金属的吸附导致相当数量的电荷转移,并使得硅碳纳米管表现出不同的磁性。五、理论表明SiCNT管壁化学活性高于CNT和BNNT,这使得SiCNT能够吸附一些CNT和BNNT无法吸附的气体,因此可以用来做为这些气体的传感器。为了检验硅碳纳米管是否可以用来作为二氧化碳分子的气体传感器,我们研究了CO2分子在一系列硅碳纳米管上的吸附。我们发现纳米管管径和CO2吸附数量决定了硅碳纳米管和CO2间的相互作用。此外,我们观察到CO2在硅碳纳米管管壁吸附能小于1 eV,电荷转移约为0.20 e。因此,硅碳纳米管可以用来作为CO2的传感器。六、利用非金属物质劈裂N-H键和O-H键对于合成重要的胺基化合物和有机含氧化合物是十分必要的。本文通过密度泛函理论研究发现纯硅碳纳米管可以有效地劈裂氨分子中的N-H键以及水、甲醇和乙醇分子中的O-H键,同时预测了劈裂机理及劈裂产物的进一步转化。