0.13μmCMOS积累型MOS管可变电容建模与低电压LC压控振荡器设计

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无线通讯产业的迅猛发展推动了低功耗无线收发机的研究。压控振荡器作为无线收发机的重要组成部分,可以为收发机提供稳定的本振信号。压控振荡器的设计多采用电感电容压控振荡器(LC VCO)结构,所以必须由可变电容进行频率调节。   本文首先对超深亚微米下的积累型MOS可变电容给出了一种RF模型,并针对可变电容的沟道电阻提出了一种新的描述函数。接着本文给出了一种基于Z参数分析的模型参数提取方法,并对中芯国际(SMIC)0.13μm RF CMOS与90nm RF CMOS工艺下的MOS可变电容进行了模型验证。通过对比测试与模型的C-V,Q-V特性以及高达20GHz的S参数,验证了模型良好的精度。   本文在理论分析的基础上,基于SMIC0.13μm RF CMOS工艺,设计了一种应用于0.5V电源电压的2.4GHz电感电容压控振荡器,采用了宽带扩频、功耗优化以及自升压技术,实现了宽调谐范围、低功耗以及低相位噪声的设计。完成了压控振荡器的电路设计、前仿真、版图设计、后仿真和优化,并进行了流片验证。测试结果表明,在0.5V电源电压下,压控振荡器的调谐范围为2.25~3.38GHz,核心电路功耗为1.5mW。最后给出了测试结果分析以及改进措施。   低电压低功耗的射频集成电路设计,具有重要的研究价值和市场应用前景。论文提出的可变电容RF模型可以直接用于电路仿真,低电压的压控振荡器设计可以整合入低电压锁相环系统,并应用于无线收发芯片。  
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