【摘 要】
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自上世纪90年代以来,随着移动电子产品如手机、数码相机、个人电脑等的发展,电子器件向着小型化、集成化、高性能化的方向不断迈进,电容器作为大规模集成电路的主要组成元件,为了更好地满足在计算机、通讯、传感器等方面的技术发展需求,也必须在小型化与高性能方面有所突破。用来制造电容器的传统单相介电材料,已无法满足上述要求,需要研究开发两相或者多相复合的材料,通过复合效应得到超高的介电常数、超大的储能容量。本
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自上世纪90年代以来,随着移动电子产品如手机、数码相机、个人电脑等的发展,电子器件向着小型化、集成化、高性能化的方向不断迈进,电容器作为大规模集成电路的主要组成元件,为了更好地满足在计算机、通讯、传感器等方面的技术发展需求,也必须在小型化与高性能方面有所突破。用来制造电容器的传统单相介电材料,已无法满足上述要求,需要研究开发两相或者多相复合的材料,通过复合效应得到超高的介电常数、超大的储能容量。本文简要介绍了渗流理论及其在介电领域的发展,全面综述了钛酸锶钡介电材料的发展现状与以渗流效应为基础
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