在现在这样信息化、科技化时代,我们每个人都离不开智能化硬件,而铁电材料因为其介电性、压电性、热释电性、铁电性以及电光效应、光折变效应和非线性光学效应等重要特性,它已经被开发成为了一类比较重要的功能材料。它在信息存储、微电子、遥感等领域有重要的应用价值,铁电材料的应用推动了电子信息工业的飞速发展,具有任何其他材料都不可替代的特殊应用前景。目前应用广泛的主要是无机铁电体,比如BaTi03,PbTi03和PbZrxTii-xO3,然而昂贵的制备工艺和制备过程中产生剧毒物会限制其在新型智能设备中的应用。分子基铁电薄膜能够很好的解决上述的问题。不仅是拥有更加优异的性能,同时其在目前这种器件小型化应用上有着独天优势。二异丙胺溴晶体和4-吡啶甲胺高氯酸晶体具有较优异的铁电性能,本文期望通过制备薄膜调节其性能,为小型化器件化打下基础。本论文主要通过简单的制备仪器、方便的制备工艺,制备出了二异丙胺溴薄膜和4-吡啶甲胺高氯酸薄膜。制备出的二异丙胺溴薄膜样品的粗糙度较高,达到百纳米级别,可能这样的方式制得的薄膜并不能够大面积的工业运用;此方法能够制得单一取向的二异丙胺溴薄膜样品,且能够通过外加电场改变其生长方向。制备的4-吡啶甲胺高氯酸薄膜能够在一定区域内形成连续的平整度较高的铁电薄膜;此方法拥有其他制备方法所没有的最佳优势—使用制备技术简单且制备过程绿色无毒;制备出的薄膜样品在一定程度上能够和其单晶样品所媲美。